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存储器类型复习

RAM/ROM: RAM掉电丢失，ROM掉电不丢失；

RAM中又分两大类，DRAM/SRAM；SRAM: 静态RAM运行速度飞快，内存小，昂贵；

DRAM: 动态RAM运行速度比ROM快，比SRAM慢，便宜（电脑内存）；

FLASH: 又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据，同时可以快速读取数据（NVRAM的优势）；

FLASH: 又分为NOR Flash和NAND Flash两种

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NAND Flash没有采取内 存储器类型复习（假想）

之内 存储器类型复习（假想）

存储器类型与芯片构造

...

eMMC: 由NAND闪存+闪存控制芯片+标准接口封装而成

ARM时钟体系(2440)

Max--- (Fclk:400MHZ Hclk:136MHZ Pclk:68MHZ)由12Mhz晶振(OSC)，通过锁相环（PLL）分别得到。MPLL: 主PLLUPLL: USBPLL

Fclk = 晶振->MPLLHclk(AHB总线) = 晶振->MPLL->HDIVN(分频)Pclk(APB总线) = 晶振->MPLL->PDIVN(分频)

相关寄存器：MPLLCON,CLKDIVN

2440启动流程：

复位引脚等待电源稳定

Fclk起振 = 晶振频率

电源稳定，复位芯片输出高电平，锁存OM[3:2]引脚信号，同时CPU开始运行

设置PLL->CPU停止，PLL工作，Fclk停止（Lock Time）

LockTime结束后->Fclk = PLL新设的时钟，CPU运行

如何设置2440时钟频率

目标:FCLK运行于400M，HCLK = FCLK/4(100M)，PCLK=FCLK/8（50M）查阅2440芯片手册；CLOCK DIVIDER CONTROL (CLKDIVN) REGISTER:00 : HCLK = FCLK/101 : HCLK = FCLK/210 : HCLK = FCLK/4 when CAMDIVN[9] = 0HCLK= FCLK/8 when CAMDIVN[9] = 111 : HCLK = FCLK/3 when CAMDIVN[8] = 0HCLK = FCLK/6 when CAMDIVN[8] = 1

设置CLKDIVN 的 1、2位为’1’ 0’且第9位为0，可使HCLK为FCLK的1/4；设置0位为’1’可使PCLK = FCLK/2。

CLKDIVN = 0x5;

2. 设置PLLCON = 0x5C11，可让FCLK = 400M。

3. 查阅2440手册 244page ，当HDVIN不为0时，CPU要设置为异步模式，否则就会以HCLK运行。

...（注意：以下内容为技术细节，需遵循芯片手册设置，切勿随意更改）

综上所述，通过合理设置PLLCON和CLKDIVN寄存器，可以轻松实现一颗2440 ARM芯片的适配配置。

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